電信行業(yè)不斷需要更高的數據速率,工業(yè)系統不斷需要更高的分辨率,這助推了滿(mǎn)足這些需求的電子設備工作頻率的不斷上升。許多系統可以在較寬的頻譜中工作,新設計通常也會(huì )有進(jìn)一步增加帶寬的要求。
東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社近日宣布研發(fā)出新一代TarfSOITM(東芝先進(jìn)的RF SOI)工藝--“TaRF10”,該工藝經(jīng)優(yōu)化適用于智能手機應用中的低噪聲放大器(LNA)。
貿澤電子即日起備貨Analog Devices, Inc的HMC8205氮化鎵(GaN) 功率放大器。此款高度集成的寬帶MMIC射頻(RF) 放大器覆蓋300 MHz至6 GHz 頻譜,對于需要支持脈沖或連續波(CW) 的無(wú)線(xiàn)基礎設施、雷達、公共移動(dòng)無(wú)線(xiàn)電、通用放大測試設備等應用,它能給系統設計人員帶來(lái)巨大好處。
憑借其新型R&S PKU100放大器,羅德與施瓦茨公司正在進(jìn)軍Ku波段的衛星上行鏈路放大器市場(chǎng)。R&S PKU100將固態(tài)放大器無(wú)與倫比的優(yōu)勢以及管式放大器高緊湊性和低重量的特點(diǎn)集成在一臺設備中。 自適應線(xiàn)性化使得R&S PKU100真正具有創(chuàng )新性。
近期,美國科通公司面向全球發(fā)布最新氮化鎵射頻和微波放大器BPMC928109-1000。該放大器可應用于X波段雷達。
毫米波功率放大器是衛星通信系統、多媒體無(wú)線(xiàn)系統、高速WLAN和高速無(wú)線(xiàn)個(gè)人區域網(wǎng)絡(luò )(WPAN)中的重要器件。本文從GaAs、GaN、InP技術(shù)分別綜述了近年來(lái)國內外對毫米波波段功率放大器芯片的研究情況,介紹了相關(guān)的現有產(chǎn)品,并展望了毫米波波段MMIC功放發(fā)展的趨勢。
Analog Devices HMC84xx產(chǎn)品系列為砷化鎵(GaAs)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、單片微波集成電路(MMIC)寬帶寬低噪聲放大器(LNA)。 帶寬范圍為0 01-10GHz以及直流至28GHz。
埃賦隆半導體(Ampleon)宣布推出基于200W BPC10M6X2S200 LDMOS的功率放大器模塊——該模塊適用于各種等離子照明、工業(yè)加熱、醫療、射頻烹飪和解凍應用。