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手機RF MEMS發(fā)展潛力大 探微攜手臺系IC設計業(yè)搶市
臺系微機電(MEMS)晶圓廠(chǎng)探微科技副董事長(cháng)兼執行長(cháng)胡慶建表示，隨著(zhù)消費性電子產(chǎn)品熱賣(mài)，預期全球MEMS年產(chǎn)值在2010年時(shí)可以重回65億~70億美...
發(fā)布時(shí)間：2010-09-07 21:15:15 -
高隔離度X波段RF MEMS電容式并聯(lián)開(kāi)關(guān)
0 引 言 RF MEMS開(kāi)關(guān)在隔離度、插入損耗、功耗以及線(xiàn)性度等方面，具有比FET或pin二極管傳統微波固態(tài)開(kāi)關(guān)無(wú)法比擬的優(yōu)勢，從而獲得了廣...
發(fā)布時(shí)間：2009-06-04 21:38:49 -
低壓驅動(dòng)RF MEMS開(kāi)關(guān)設計與模擬--用于MEMS開(kāi)關(guān)缺陷的改進(jìn)
近年來(lái)射頻微電子系統(RF MEMS)器件以其尺寸小、功耗低而受到廣泛關(guān)注，特別是MEMS開(kāi)關(guān)構建的移相器與天線(xiàn)，是實(shí)現上萬(wàn)單元相控陣雷達的...
發(fā)布時(shí)間：2010-11-05 21:15:24 -
RF MEMS──智能手機天線(xiàn)救星
對正在為iPhone4可能斷話(huà)而感到沮喪的使用者來(lái)說(shuō)，射頻微機電系統(RFMEMS)也許可以提供解決之道──RFMEMS半導體的性能將可用于改良手機天...
發(fā)布時(shí)間：2010-09-02 21:57:29 -
RF MEMS、軟件無(wú)線(xiàn)電 未來(lái)LTE手機的兩大關(guān)鍵技術(shù)
射頻工程師對射頻前端器件提出了更高的要求，促使射頻半導體廠(chǎng)商加速研發(fā)創(chuàng )新RF技術(shù)與解決方案，包括RF MEMS及軟件定義無(wú)線(xiàn)電(SDR)、天線(xiàn)頻率調整等新興技術(shù)，已受到終端設備制造商關(guān)注。
發(fā)布時(shí)間：2013-07-05 00:00:00 -
RF MEMS、軟件無(wú)線(xiàn)電 未來(lái)LTE手機的兩大關(guān)鍵技術(shù)
隨著(zhù)LTE多頻多模智能手機時(shí)代的來(lái)臨，新一代智能手機要求在2G、3G模式基礎上增加支持LTE模式及相應的工作頻段，并實(shí)現國際漫游的工作頻段，頻段總量接近40個(gè)。頻段的快速增加引發(fā)內部射頻(RF)天線(xiàn)尺寸與功耗過(guò)大問(wèn)題，如何降低天線(xiàn)數量、尺寸并增強信號接收性能與頻寬是當前工程師面臨的問(wèn)題。射頻工程師對射頻前端器件提出了更
發(fā)布時(shí)間：2013-12-13 00:00:00 -
中科院半導體所制備成功RF MEMS振蕩器
基于微納諧振器的MEMS振蕩器，具有高頻、高品質(zhì)因子（>103），可與IC電路在同一芯片集成，實(shí)現系統小型化，在軍民兩用高技術(shù)領(lǐng)域具有非常廣泛的應用。
發(fā)布時(shí)間：2014-01-13 00:00:00 -
RF MEMS關(guān)鍵技術(shù)與器件
文章介紹了RF MEMS的基本概念、基本特征與關(guān)鍵工藝技術(shù)。文章在介紹了RF—MEMS元器件的基礎上，對RF MEMS與MMIC進(jìn)行了比較，分析了RF MEMS需解決的重點(diǎn)問(wèn)題。最后對RF MEMS的發(fā)展前景進(jìn)行了展望。
發(fā)布時(shí)間：2014-01-17 00:00:00 -
ADI公司將RF MEMS開(kāi)關(guān)技術(shù)真正投入商用
ADI宣布在開(kāi)關(guān)技術(shù)領(lǐng)域取得的重大突破，提供用戶(hù)期盼已久的替代產(chǎn)品，以取代100多年前即被電子行業(yè)采用的機電繼電器設計。由繼電器導致的多種性能局限早在電報問(wèn)世之初就已存在，ADI公司全新的RF-MEMS開(kāi)關(guān)技術(shù)解決了此類(lèi)局限，從而能夠開(kāi)發(fā)出更快速、小巧、節能、可靠的儀器儀表。
發(fā)布時(shí)間：2016-11-15 00:00:00 -
5G射頻前端 | RF MEMS與RF SOI 兩種工藝誰(shuí)才是主流？
即便不考慮RF設備和工藝類(lèi)型的變革，當今RF市場(chǎng)的挑戰也足以令人望而生畏。Cavendish Kinetics公司總裁兼首席執行官Paul Dal Santo表示：“幾年前，RF還是一項相當簡(jiǎn)單的設計，但是現在，事情已經(jīng)發(fā)生了大大的改變。首先，您的射頻前端必須處理范圍非常廣泛的頻帶，從600MHz一直延伸到3GHz。
發(fā)布時(shí)間：2017-07-05 00:00:00 -
RF MEMS開(kāi)關(guān)技術(shù)
從驅動(dòng)方式和機械結構的角度介紹了不同的RF MEMS開(kāi)關(guān)類(lèi)型，分析了各類(lèi)MEMS開(kāi)關(guān)的性能及優(yōu)缺點(diǎn)，分析了MEMS開(kāi)關(guān)在制作和發(fā)展中面臨的犧牲層技術(shù)、封裝技術(shù)、可靠性問(wèn)題等關(guān)鍵技術(shù)和問(wèn)題，介紹了MEMS開(kāi)關(guān)的發(fā)展現狀及其在組件級和系統級的應用，以及對MEMS開(kāi)關(guān)技術(shù)的展望。
發(fā)布時(shí)間：2023-03-16 00:00:00