作者：Richard Anslow，系統應用經(jīng)理；Sylvain Le Bras，現場(chǎng)應用工程師，ADI公司

摘要

隨著(zhù)物聯(lián)網(wǎng)互聯(lián)設備和5G連接等技術(shù)創(chuàng )新成為我們日常生活的一部分，監管這些設備的電磁輻射并量化其EMI抗擾度的需求也隨之增加。滿(mǎn)足EMC合規目標通常是一項復雜的工作。本文介紹如何通過(guò)開(kāi)源LTspice®仿真電路來(lái)回答以下關(guān)鍵問(wèn)題：(a) 我的系統能否通過(guò)EMC測試，或者是否需要增加緩解技術(shù)？(b) 我的設計對外部環(huán)境噪聲的抗擾度如何？

為何要使用LTspice進(jìn)行EMC仿真？

針對EMC的設計應該盡可能遵循產(chǎn)品發(fā)布日程表，但事實(shí)往往并非如此，因為EMC問(wèn)題和實(shí)驗室測試可能將產(chǎn)品發(fā)布延遲數月。

通常，仿真側重于電子設備的功能方面；但是，諸如 LTspice 之類(lèi)簡(jiǎn)單的開(kāi)源工具也可以用來(lái)仿真任何設備的EMC行為。由于許多人在家工作，并且EMC實(shí)驗室的成本高昂（每天高達2000美元），因此準確的EMC仿真工具更顯價(jià)值?；◣讉€(gè)小時(shí)對EMC故障和電路修復情況進(jìn)行仿真，有助于避免多次實(shí)驗室測試迭代和昂貴的硬件重新設計。

為了發(fā)揮作用，EMC仿真工具需要盡可能準確。本系列文章會(huì )提供一些指南和LTspice EMC電路模型，這些模型經(jīng)過(guò)仿真并與實(shí)際實(shí)驗室測量結果非常吻合。

這是三篇系列文章的第一部分，這些文章為一個(gè)示例傳感器信號鏈提供了EMC仿真模型，其核心是MEMS振動(dòng)傳感器。不過(guò)，許多器件和EMC仿真技術(shù)并非MEMS解決方案所獨有的，而是可以廣泛用于各種應用。

? 第1部分：電源器件與傳導輻射和抗擾度。

? 第2部分：電纜驅動(dòng)收發(fā)器鏈路上的信號完整性和瞬變魯棒性。

? 第3部分：信號調理器件及如何提高對外部噪聲的抗擾度。

使用LTspice解決輻射和抗擾度問(wèn)題

閱讀本文后，您應該能夠回答以下關(guān)鍵問(wèn)題：

(a) 我的系統是否有可能通過(guò)EMC測試？是否應該為共模電感、濾波電感或電容預留空間？閱讀本文后，您應該能夠使用LTspice繪制降壓轉換器電源設計的差分和共模噪聲圖，并展示電路超過(guò)（失?。┻€是未超過(guò)（成功）傳導輻射標準限值，如圖1所示。

圖1. 差分和共模噪聲的LTspice圖，附有傳導輻射限值線(xiàn)

(b) 是否需要線(xiàn)性穩壓器來(lái)為敏感負載提供穩定的電壓？閱讀本文后，基于設計容許的降壓輸出紋波電壓電平，您應該能夠使用LTspice了解降壓轉換器的輸出端是否需要LDO穩壓器。此外，本文還提供了一個(gè)可配置的電源抗擾度(PSRR)測試電路。

用于傳感器的降壓轉換器

MEMS振動(dòng)傳感器通常被置于一個(gè)小型金屬外殼中，其直徑通常為20 mm至30 mm，高度為50 mm至60 mm。帶有數字信號鏈的傳感器通常由長(cháng)電纜提供9 VDC至30 VDC電源，功耗低于300 mW。為了能放入這種小型外殼內，需要高效率、寬輸入范圍的微型電源解決方案。

LT8618、LT8618-3.3 和 LT8604 是緊湊型高速降壓開(kāi)關(guān)穩壓器，非常適合MEMS傳感器應用。LT8618和LT8618-3.3已有相應的LTspice模型。LT8618具有良好的穩壓能力，提供非常低的輸出紋波，其峰峰值小于10 mV。然而，輸出電容組的寄生電阻和電感會(huì )增加這種紋波，導致降壓電路產(chǎn)生有害的傳導輻射。容性負載、降壓穩壓器的輸出開(kāi)關(guān)寄生效應以及PCB設計和傳感器外殼之間的耦合電容，都可能引起寄生效應。

提取和使用寄生值

接下來(lái)介紹工程師如何使用 Würth REDEXPERT 從實(shí)際電容中提取ESL和ESR寄生值，并使用LTspice進(jìn)行電路仿真。在許多系統的輸入端和輸出端，電容和電感的寄生效應對EMI性能起著(zhù)重要作用。為了降低系統輸出紋波，分離各種寄生貢獻有助于用戶(hù)做出最佳選擇。

我們使用LTspice和Würth REDEXPERT流程來(lái)討論降壓轉換器的傳導輻射仿真，如圖2所示。對于降壓轉換器，通常來(lái)說(shuō)，輸出紋波與信噪比(SNR)相關(guān)，而輸入紋波與EMC性能密切相關(guān)。

圖2. 使用LTspice進(jìn)行傳導輻射仿真的流程

概述圖2所示的仿真方法之后，本文將使用 DC2822A LT8618演示板進(jìn)行實(shí)際的實(shí)驗室測量和仿真相關(guān)性分析。

使用Würth REDEXPERT數據的LTspice測試電路

降壓轉換器的輸出紋波電壓是電容阻抗和電感電流的函數。為了獲得更好的仿真精度，可以使用Würth REDEXPERT來(lái)選擇4.7 µF輸出電容(885012208040)，并提取隨頻率變化的ESR和ESL。ESL和ESR有時(shí)會(huì )被加載到LTspice電容模型中，但快速檢查將證明LTspice電容數據經(jīng)常會(huì )忽略ESL。圖3a和3b顯示了兩個(gè)等效電路：(a) 使用4.7 µF輸出電容以及分立的ESL和ESR值；(b) 使用包含ESR和ESL參數的Würth電容。

圖3. LTspice測試電路：(a) 使用4.7 μF電容以及分立的ESL和ESR值；(b) 使用包含ESR和ESL參數的Würth電容

REDEXPERT顯示了許多元件的隨頻率而變化的阻抗，以幫助確定每個(gè)無(wú)源器件的關(guān)鍵寄生效應。這些寄生值稍后可以在LTspice模型中實(shí)現，從而能夠單獨評估其對總電壓紋波的貢獻。

如前所述，LT8618提供非常低的輸出紋波，峰峰值小于10 mV。但是，當模擬容性負載和ESL的影響時(shí)，輸出紋波電壓為44 mV p-p。在頻率范圍內，電容ESL對噪聲的貢獻相當大，如圖4的FFT圖所示。

圖4. FFT圖顯示了一個(gè)4.7 μF電容的純電容、ESL和ESR各自對頻譜的貢獻

使用LTspice LISN電路評估降壓輸入端的EMI合規性

為了評估傳導設置中的EMC合規性，大多數標準依賴(lài)于線(xiàn)路阻抗穩定網(wǎng)絡(luò )(LISN)或人工電源網(wǎng)絡(luò )(AMN)。這些器件具有類(lèi)似的功能，位于電路電源和被測器件(DUT)——這里是降壓轉換器——之間。LISN/AMN由低通和高通濾波器組成。低通濾波器提供從低頻電源（直流至幾百赫茲）到DUT的路徑。高通濾波器用于測量電源和返回電源線(xiàn)噪聲。這些電壓是在50 Ω電阻上測量，如圖5和圖61所示。在實(shí)際實(shí)驗室中，該電壓使用EMI接收器來(lái)測量。LTspice可用來(lái)探測噪聲電壓并繪制傳導輻射測試頻譜圖。

圖5. LISN置于電源和被測器件(DUT)之間

圖6. LISN內部的共模和差模干擾的表示

傳導輻射可分為兩類(lèi)：共模(CM)噪聲和差模(DM)噪聲。區分CM和DM噪聲很重要，因為EMI緩解技術(shù)可能對CM噪聲有效，但對DM噪聲無(wú)效，反之亦然。由于V1和V2電壓同時(shí)輸出，因此在傳導輻射測試中可以使用LISN來(lái)分離CM和DM噪聲，如圖6所示

DM噪聲在電源線(xiàn)和返回線(xiàn)之間產(chǎn)生，而CM噪聲是通過(guò)雜散電容CSTRAY在電源線(xiàn)和接地參考平面（例如銅測試臺）之間產(chǎn)生。CSTRAY實(shí)際上模擬了降壓轉換器輸出端的開(kāi)關(guān)噪聲寄生效應。

圖6對應的LTspice LISN電路如圖7所示。為了獲得更高的仿真精度，使用L5和L6電感來(lái)模擬LISN電源引線(xiàn)到測試電路的電感。電阻R10模擬測試板開(kāi)槽接地層的阻抗。圖7還包括用于模擬CSTRAY的電容C10。電容C11模擬傳感器PCB和傳感器機械外殼之間的寄生電容。

圖7. LTspice LISN電路、LT8618降壓轉換器和寄生建模

運行仿真時(shí)，應設置LTspice以幫助LISN電路更快達到穩定狀態(tài)，因為啟動(dòng)條件選擇錯誤可能導致長(cháng)期持續振蕩。

確保取消勾選"Start External DC Supply Voltages at Zero"（從零啟動(dòng)外部直流電源電壓），并根據需要指定電路元件的初始條件（電壓和電流）。

圖8顯示了CM和DM噪聲，使用的是從LISN端子V1和V2測得的LTspice FTT圖。為了再現圖6所示的算術(shù)運算，對于DM噪聲，V1和V2相減后乘以0.5；對于CM噪聲，V1與V2相加，結果乘以0.5。

圖8. DM噪聲（黑色）和CM噪聲（藍色）的LTspice FFT圖

在實(shí)驗室中，傳導輻射通常以dBµV為單位進(jìn)行測量，而LTspice的默認單位為1 dbV。兩者之間的關(guān)系為1 dbV = 120 dBµV。

因此，DM噪聲（以dBµV為單位）的LTspice表達式為

CM噪聲的表達式為

添加傳導輻射限值線(xiàn)

LTspice FFT波形查看參數可以通過(guò)繪圖設置文件進(jìn)行編輯。使用LTspice FFT菜單，導航到"Save Plot Settings"（保存繪圖設置）并點(diǎn)擊保存。繪圖設置文件可以使用文本編輯器打開(kāi)，并且可以進(jìn)行操作以添加EN 55022傳導輻射限值線(xiàn)以及相關(guān)的EMC頻率范圍（10 kHz至30 MHz）和幅度（0 dBµV至120 dBµV）。

EN 55022傳導輻射標準頻率和幅度限值可以利用Excel進(jìn)行操作，以提供正確的語(yǔ)法來(lái)復制和粘貼到LTspice繪圖設置文件，如圖9所示。線(xiàn)定義可以粘貼到繪圖設置參數中，如圖10所示。圖10還顯示了X頻率和Y幅度參數。

圖9. 生成正確的語(yǔ)法以復制并粘貼到LTspice繪圖設置文件

圖10. 添加傳導輻射通過(guò)/失敗線(xiàn)定義和頻率/幅度刻度

圖11顯示了傳導輻射限值線(xiàn)，以及降壓電路的DM和CM傳導輻射。電路在2.3MHz至30 MHz頻段內未通過(guò)輻射測試。

圖11. LTspice FFT圖和EN 55022傳導輻射限值線(xiàn)

解決降壓轉換器EMI

為了降低電路的DM噪聲，可以在輸入軌上放置一個(gè)ESL和ESR非常低的電容，例如C12 22 µF Würth 885012209006，如圖12所示。

圖12. 解決降壓轉換器輻射問(wèn)題

為了降低CM噪聲，可以從LTspice庫中選擇Würth共模扼流圈，例如250 µH 744235251（WE-CNSW 系列）。封裝尺寸4.5 mm × 3.2 mm × 2.8 mm非常適合空間受限的MEMS傳感器外殼。圖13顯示了問(wèn)題解決后的降壓轉換器的FFT圖。

圖13. 解決降壓轉換器問(wèn)題后的FFT圖

使用DC2822A LT8618演示板的實(shí)際實(shí)驗室測量和仿真相關(guān)性

本文為L(cháng)Tspice進(jìn)行傳導輻射仿真提供了指導。這些方法可用于任何降壓轉換器電路?，F在我們將注意力轉向使用DC2822A LT8618演示板的仿真和EMC實(shí)驗室相關(guān)性，如圖14所示。DC2822A演示板包括多個(gè)輸入和輸出電容，這些電容未包含在以前的仿真模型中（例如圖7和圖12）。圖15中顯示的LTspice模型包括這些電容，以及使用Würth REDEXPERT獲得的電容ESL和ESR值。

 

圖14. DC2822A LT8618演示板

 

圖15. DC2822A演示板VIN配置對應的LTspice模型

DC2822A演示板包括兩個(gè)電源輸入：VIN和VEMI。VIN輸入電源軌繞過(guò)了PCB上使用的鐵氧體磁珠。圖15 LTspice模型對應于演示板VIN配置。圖16顯示了LTspice仿真的FFT，共模輻射在2 MHz時(shí)略微超過(guò)傳導輻射限值線(xiàn)。

圖16. DC2822A VIN 配置對應的LTspice FFT圖

為了減少仿真時(shí)間，并優(yōu)化LTspice仿真與DC2822A演示板實(shí)驗室測量的匹配度，相比之前的模型（圖7和圖12），我們對圖15進(jìn)行了以下更改：

?  無(wú)需模擬外殼和PCB之間的100 pF電容。我們只為DC2822A演示板建模。

?  從一開(kāi)始就假設這個(gè)設計良好的PCB上的開(kāi)關(guān)噪聲可以忽略不計。之前，我們在圖7和圖12中估計了5 pF的開(kāi)關(guān)噪聲。

?  忽略L(fǎng)ISN和DC2822A演示板之間導線(xiàn)的非常小電感。

?  添加1 kΩ電阻與50 µH LISN電感并聯(lián)以減少仿真時(shí)間（縮短LISN建立時(shí)間）。

對圖15電路進(jìn)行上述改變之后，圖17顯示了LTspice仿真與EMC實(shí)驗室中DC2822A演示板的實(shí)際測量的比較。LTspice仿真模型非常準確地預測到實(shí)際實(shí)驗室輻射的主要峰值。

圖17. DC2822A VIN配置，LTspice和實(shí)際EMC實(shí)驗室輻射的比較

通過(guò)鐵氧體磁珠（EMI濾波器）VEMI軌測量，DC2822A演示板輕松符合60 dBµV的傳導輻射限值線(xiàn)。事實(shí)上，在較低頻率時(shí)，DC2822A演示板只有30 dBµV至35 dBµV的輻射。

傳導抗擾度

有線(xiàn)狀態(tài)監控傳感器具有嚴格的抗擾度要求。對于鐵路、自動(dòng)化和重工業(yè)（例如紙漿和紙張加工）的狀態(tài)監控，振動(dòng)傳感器解決方案需要輸出低于1 mV的噪聲，以避免在數據采集/控制器處觸發(fā)錯誤的振動(dòng)水平。這意味著(zhù)電源設計向測量電路（MEMS信號鏈）輸出的噪聲必須非常低（低輸出紋波）。電源設計還必須不受耦合到電源電纜的噪聲的影響（高PSRR）。

如前所示，由于非理想的容性負載和突發(fā)操作，LT8618可能有數十毫伏的輸出紋波。對于MEMS傳感器應用，LT8618的輸出端需要一個(gè)超低噪聲和高PSRR的LDO穩壓器，例如 LT3042。

針對抗擾度(PSRR)的靈活仿真電路

圖18所示的LTspice電路可用來(lái)仿真LT3042的PSRR。圖18所示的時(shí)域瞬變模型是交流掃描方法的替代方法。這種時(shí)域模型比交流方法更靈活，甚至允許用戶(hù)對開(kāi)關(guān)穩壓器的PSRR進(jìn)行仿真。仿真電路頻率掃描電壓輸入軌的變化，并模擬輸出電壓的相應變化。換句話(huà)說(shuō)，仿真評估如下方程：PSRRLT3042 = 頻率范圍內(VIN變化)/(VOUT變化)。

圖18. 在10 kHz至80 MHz范圍內仿真LT3042 LDO穩壓器的PSRR

圖18含有幾個(gè)強大的語(yǔ)句。.meas和.step語(yǔ)句的組合使用戶(hù)能夠在LDO輸入端添加電壓噪聲源，并在頻率范圍內測量電壓輸入階躍變化情況下的LDO PSRR。

.meas語(yǔ)句

允許用戶(hù)在一個(gè)時(shí)間范圍內測量信號的峰峰值并將其輸出到SPICE錯誤日志。圖18測量了輸入和輸出紋波，并計算測量數據的PSRR。所有這些都輸出到SPICE錯誤日志中。

.step語(yǔ)句

在單次仿真運行中，.step命令可用于掃描變量的一系列值。圖18中的.step語(yǔ)句在50 Hz至10 MHz范圍內階躍改變V2電壓源正弦波。

C2輸出電容初始電壓可設置為3.3V，以加快建立（和仿真）時(shí)間。這是通過(guò)編輯電容屬性來(lái)完成的，通過(guò)禁用LTspice中的"Start External DC Supply Voltage at 0 V"選項可以進(jìn)一步加快速度。

使用SPICE錯誤日志

仿真完成后，右鍵單擊其中一個(gè)窗口，選擇查看并選擇SPICE錯誤日志（或使用Ctrl+L熱鍵）。SPICE錯誤日志包含.meas語(yǔ)句的數據點(diǎn)。

要繪制.meas數據圖，請右鍵單擊錯誤日志并選擇繪制階躍.meas數據，右鍵單擊空白屏幕以選擇"Add Trace"（添加跡線(xiàn)，或使用Ctrl+A）并選擇PSRR。右鍵單擊x軸，選中單選按鈕以顯示對數刻度。這將顯示PSRR隨頻率的變化，如圖19所示。

圖19. 繪制LT3042 LDO穩壓器的仿真PSRR圖

原始LT3042數據手冊曲線(xiàn)中的一些偽影不可見(jiàn)（約2 MHz），但整體形狀和值與數據手冊接近。

圖20顯示了頻率范圍內的輸出電壓紋波。在50 Hz至10 MHz范圍內，它小于200 µV。在相同頻率范圍內，輸入電壓紋波為1 V p-p。LT3042為噪聲敏感的MEMS解決方案提供了出色的PSRR和低噪聲電源。

圖20. 繪制LT3042仿真輸出電壓紋波隨頻率的變化圖

使用SPICE錯誤日志的.meas方法可用來(lái)仿真許多其他參數，包括：

?  開(kāi)關(guān)穩壓器的PSRR

?  PSRR、電壓差與頻率三者的關(guān)系

?  PSRR與旁路網(wǎng)絡(luò )的關(guān)系

?  RMS輸出紋波與直流輸入的關(guān)系

?  效率與元件值的關(guān)系

小結

本文提供了LTspice仿真電路和方法，用以繪制降壓轉換器電源設計的差分和共模噪聲圖。本文讓用戶(hù)能夠繪制傳導輻射限值線(xiàn)，并幫助預測EMC實(shí)驗室故障。仿真方法通過(guò)實(shí)驗室測量得到驗證，與LT8618 DC2822A演示板實(shí)測結果匹配。

在LT8618降壓轉換器的輸出端使用LT3042 LDO穩壓器，可為MEMS傳感器應用提供超低噪聲、高PSRR解決方案。針對PSRR的靈活仿真電路表明結果與LT3042數據手冊有良好的一致性。在50 Hz至10 MHz范圍內，即使存在較大的1 V p-p輸入電壓噪聲，LT3042的仿真輸出紋波也小于200 µV。

參考電路

1 Ling Jiang、Frank Wang、Keith Szolusha和Kurk Mathews。 “傳導輻射測試中分離共模和差模輻射的實(shí)用方法” 。模擬對話(huà)，第55卷第1期，2021年1月。

2 Gabino Alonso. “LTspice：使用 .MEAS 和 .STEP 命令計算效率” 。ADI公司

關(guān)于A(yíng)DI公司

Analog Devices, Inc. (NASDAQ: ADI)是全球領(lǐng)先的半導體公司，致力于在現實(shí)世界與數字世界之間架起橋梁，以實(shí)現智能邊緣領(lǐng)域的突破性創(chuàng )新。ADI提供結合模擬、數字和軟件技術(shù)的解決方案，推動(dòng)數字化工廠(chǎng)、汽車(chē)和數字醫療等領(lǐng)域的持續發(fā)展，應對氣候變化挑戰，并建立人與世界萬(wàn)物的可靠互聯(lián)。ADI公司2022財年收入超過(guò)120億美元，全球員工2.4萬(wàn)余人。攜手全球12.5萬(wàn)家客戶(hù)，ADI助力創(chuàng )新者不斷超越一切可能。更多信息，請訪(fǎng)問(wèn)www.analog.com/cn。

關(guān)于作者

Richard Anslow是ADI公司工業(yè)自動(dòng)化事業(yè)部的高級經(jīng)理，從事軟件系統設計工程工作。他的專(zhuān)長(cháng)領(lǐng)域是狀態(tài)監控、電機控制和工業(yè)通信設計。他擁有愛(ài)爾蘭利默里克大學(xué)工程學(xué)士學(xué)位和工程碩士學(xué)位。最近，他完成了普渡大學(xué)人工智能(AI)和機器學(xué)習(ML)的研究生課程。

Sylvain Le Bras是Würth Elektronik的一名現場(chǎng)應用工程師，專(zhuān)注于電源和電磁兼容性。加入Würth Elektronik之前，Sylvain在A(yíng)BB和技術(shù)轉讓實(shí)驗室擔任過(guò)多種研發(fā)職位。他畢業(yè)于法國南特大學(xué)理工學(xué)院，獲工程碩士學(xué)位。